石墨烯中的载流子加热与负光电导
材料科学
2015-06-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用超快太赫兹技术研究了石墨烯中的负光电导现象。红外透射谱被用于确定 p 型 CVD 石墨烯样品的费米能级、载流子密度和迁移率。使用可调谐中红外泵浦的时间分辨太赫兹光电导测量对这些样品进行了探测，光子能量范围在 0.35eV 至 1.55eV 之间，约为样品费米能级的一半到三倍。尽管当泵浦光子能量小于两倍费米能级时，石墨烯中的带间光学跃迁被阻断，但我们在所有研究的泵浦光子能量下均观测到了负光电导，这表明观察到此效应并不需要带间激发。我们的结果与通过电子 - 声子散射冷却的热化自由载流子群体模型一致，但与基于粒子数反转的负光电导模型不一致。
引用
@article{arxiv.1410.7495,
title = {Carrier Heating and Negative Photoconductivity in Graphene},
author = {J. N. Heyman and J. D. Stein and Z. S. Kaminski and A. R. Banman and A. M. Massari and J. T. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.7495},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures