宽温范围内氧化铜单晶薄膜的热刺激电流响应
材料科学
2017-01-04 v1
摘要
通过等离子体辅助分子束外延生长了氧化铜单晶薄膜。X射线衍射、拉曼光谱和原位反射高能电子衍射表明，该薄膜具有2x2重构，并伴随面内压缩与面外拉伸。热刺激电流测量表明，电极化响应出现在特殊的二维氧化铜单晶薄膜中，温度范围宽达从130 K到近室温。我们推断，这种异常的电响应涉及由结构畸变引起的相变温度变化、短程磁序的自旋阻挫与磁涨落效应，或上述两因素的共同作用。该工作为寻找新型室温单相多铁材料或调控相变温度提供了有前景的线索。
引用
@article{arxiv.1605.00109,
title = {Thermal stimulated current response in cupric oxide single crystal thin films over a wide temperature range},
author = {K. G. Yang and S. X. Wu and F. M. Yu and W. Q. Zhou and Y. J. Wang and M. Meng and G. L. Wang and Y. L. Zhang and S. W. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00109},
year = {2017}
}