三维拓扑绝缘体 $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Se}_3$ 的 X 射线吸收理论研究
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
针对原型拓扑绝缘体 ，研究了通常与金属相关的 X 射线吸收边奇异性。推导并求解了 Nozières 和 Dominicis 类型的广义积分方程，用于处理 X 射线边奇异性。表面态的自旋织构引起了一个依赖于自旋织构螺旋度的奇异性分量。它还产生了另一个分量，在该分量中来自激子过程的奇异性不存在。
引用
@article{arxiv.1105.4679,
title = {Theoretical study of X-ray absorption of three-dimensional topological insulator $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Se}_3$},
author = {Hyun C. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4679},
year = {2015}
}
备注
RevTeX 4.1. 4 pages, no figure