三元有序排列的InGaN-GaN多量子阱纳米柱阵列中的表面光学声子模
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
研究了聚焦离子束刻蚀的完美有序且空间可控的多量子阱InGaN-GaN纳米柱的光学性质。直径为30至95纳米且具有高纵横比的晶体多量子阱纳米柱，其单位活性区域的发射强度最大增强了三倍。利用纳米柱结构绘制了台湾的发光等高线图，以展示本研究采用技术的位点控制能力。通过拉曼散射研究表征了新产生的表面。利用多次激发，识别了GaN和InGaN纳米结构中未知峰对应的表面光学声子模，并对其波矢进行了合理指认；三元相的表面光学模为首次报道。
引用
@article{arxiv.0905.0189,
title = {Surface optical phonon modes in ternary aligned crystalline InGaN-GaN multi-quantum well nanopillar arrays},
author = {S. -E. Wu and S. Dhara and T. -H. Hsueh and Y. -F. Lai and C. -Y. Wang and C. -P. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.0189},
year = {2015}
}
备注
18 Pages; 8 Figures Including TOC; Acepted in J. Raman Spectroscopy