N 极性 GaN 量子阱沟道中的表面光学声子散射
介观与纳米尺度物理
2013-07-25 v1
摘要
N 极性 GaN 沟道迁移率对于高频器件应用至关重要。在本快报中，我们报告了关于具有高 k 介电质的 N 极性 GaN 量子阱沟道中二维电子气 (2-DEG) 的表面光学 (SO) 声子散射率的理论计算。研究发现，当沟道厚度大于 5 nm 时，SO 声子对 2-DEG 迁移率的影响较小。然而，在具有高高 k 介电质的 3 nm N 极性 GaN 沟道中，SO 迁移率较低并限制了总迁移率。研究发现，由于 SiNx 介电质 GaN 具有较高的 SO 声子能量，其 SO 散射可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1307.6405,
title = {Surface optical phonon scattering in N-polar GaN quantum well channels},
author = {Uttam Singisetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.6405},
year = {2013}
}
备注
4 figures