任意整数填充因子下一维 Bose-Hubbard 模型中的超流到 Mott 绝缘体转变
量子气体
2015-05-30 v1
摘要
我们研究了一维 (1D) Bose-Hubbard 模型中超流态与 Mott 绝缘体态之间的量子相变。利用时间演化块截断方法，我们数值计算了具有不同绕数的两个宏观不同态之间的隧穿分裂。根据隧穿分裂随系统尺寸的标度关系，我们确定了任意整数填充因子下超流到 Mott 绝缘体转变的临界点。我们发现，一维、二维和三维中的临界值随填充因子的变化可通过一个简单的解析函数很好地近似。我们还从瞬子方法的角度讨论了确定转变点的条件。
引用
@article{arxiv.1110.4308,
title = {Superfluid to Mott insulator transition in the one-dimensional Bose-Hubbard model for arbitrary integer filling factors},
author = {Ippei Danshita and Anatoli Polkovnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4308},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 6 figures, 2 tables