玻色子在 Mott 绝缘体至超流相界面处的迁移

我们考虑单位填充下 Bose-Hubbard 模型中 Mott 绝缘体区域与超流区域之间的边界。初始时两个区域相互解耦并冷却至各自的基态。我们表明，在开启两个区域之间的小隧穿率后，Mott 区域的所有粒子都会迁移到超流区域。只要两个区域的化学势之差小于超流区域任意本征模的最大能量，这种迁移就会发生。我们通过 DMRG 模拟对结果进行了数值验证，并利用主方程近似进行了分析解释，发现两种方法吻合良好。最后，我们对在耦合微腔阵列和光晶格中观测该效应的可行性进行了研究。