III-V族闪锌矿系统中应变诱导的克莱默-外尔相
材料科学
2024-05-22 v6
摘要
我们提出了关于应变III-V族半导体拓扑性质的理论观察。通过k·p微扰，可以证明应变工程化的导带在Γ点处存在一个克莱默-外尔节点。理论上表明，精心设计的应变可以产生并随后调节拓扑荷的符号。此外，我们概述了实现和检测应变诱导拓扑相变的实验方法。
引用
@article{arxiv.2405.03156,
title = {Strain Induced Kramers-Weyl Phase in III-V Zinc Blende Systems},
author = {Denis Aglagul and Jian Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.03156},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 4 figures