通过弯曲应变工程在SrRuO3中实现内在应变驱动的拓扑演化

应变工程为调控相关氧化物的拓扑电子结构提供了强大的途径，但传统等应变方法引入的异构因素（如基质诱导相变和晶体质量变化），使难以明确识别内在应变效应。本文基于van der Waals生长和柔性微加工，开发了弯曲应变平台，实现了对相关氧化物拓扑电子结构内在应变效应的精确隔离与量化。通过对Weyl半导体SrRuO3的应变依赖输运测量，我们观察到在仅0.2%的微小应变水平下，异常霍尔导电率显著提升21%，而纵向电阻率几乎保持不变——这标志着内在拓扑响应的特征。第一性原理计算揭示，应变驱动的Weyl节点在费米能级上的非单调演化——完全由晶格常数调制所主导——驱动了显著的AHC行为。我们的工作不仅凸显了纯晶格应变在拓扑调控中的关键作用，也为设计具有可调功能的柔性拓扑氧化物器件建立了通用平台。