在卢廷格半金属 α-Sn 中设计拓扑相
介观与纳米尺度物理
2018-05-30 v2
摘要
α-Sn 是众所周知的典型卢廷格半金属，在 Γ 点具有二次能带接触。基于有效的 k·p 分析以及第一性原理计算，我们证明了通过外应变、磁场和圆偏振光（CPL）可以在 α-Sn 中诱导并设计具有丰富相图的多种拓扑相，包括拓扑绝缘体、狄拉克半金属和外尔半金属相。有趣的是，不仅传统的 I 型外尔节点，而且 II 型外尔节点和双重外尔节点都可以通过施加磁场或 CPL 从二次半金属直接产生。我们的结果同样适用于具有类似晶体和电子结构的其他卢廷格半金属，从而为实现和设计多功能平台上的多种拓扑相开辟了途径。
引用
@article{arxiv.1802.01927,
title = {Engineering topological phases in the Luttinger semimetal $\alpha$-Sn},
author = {Dongqin Zhang and Huaiqiang Wang and Jiawei Ruan and Ge Yao and Haijun Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.01927},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 6 figures