硅中实现的伴随表面态的拓扑 Luttinger 半金属相
材料科学
2022-02-02 v1
摘要
通过系统的第一性原理计算和模型分析，我们探索了体心硅（BC8-Si）随晶格常数 a 和内部原子坐标 x 变化的完整相图，结果表明 BC8-Si 是一种伴随拓扑非平庸表面态的拓扑 Luttinger 半金属（LSM），并且 BC8-Si 的电子性质可以通过 a 和 x 的极微小改变进一步调控为普通绝缘体或拓扑 Dirac 半金属。这些结果成功解释了 BC8-Si 相互矛盾的输运报道。更重要的是，LSM 相中的拓扑表面态填补了拓扑物质与硅之间的空白，这为将拓扑量子器件与硅芯片集成在一起提供了机会。
引用
@article{arxiv.2103.03009,
title = {Topological Luttinger semimetallic phase accompanied with surface states realized in silicon},
author = {Ying Li and Chi-Ho Cheung and Gang Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.03009},
year = {2022}
}