从GaAs到磁性钴的自旋依赖光电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v2 材料科学
摘要
展示了从独立式GaAs薄膜到面外磁化钴薄膜的光电子隧穿电流的自旋依赖性。由光螺旋度变化引起的测量自旋不对称度(A)在零施加隧穿偏压附近达到±6%，并在施加于GaAs的偏压为-1.6 V时降至±2%。这种下降是由于GaAs表面复合速度降低导致光电子自旋极化率下降的结果。A的符号随钴磁化方向的变化而改变。相比之下，在(非磁性)金薄膜上，A≈0%。
引用
@article{arxiv.1008.1403,
title = {Spin dependent photoelectron tunnelling from GaAs into magnetic Cobalt},
author = {D. Vu and H. F. Jurca and F. Maroun and P. Allongue and N. Tournerie and A. C. H. Rowe and D. Paget and S. Arscott and E. Peytavit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1403},
year = {2015}
}