从自支撑砷化镓薄膜到金属表面的光辅助隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 材料科学
摘要
测量了金表面与从背面被超带隙光激发的自支撑半导体薄膜之间的隧穿光电流，作为外加偏压、隧穿距离和激发光功率的函数。将结果与一个模型预测进行比较，该模型包含了隧穿势垒高度的偏压依赖性以及偏压引起的表面复合速度降低。研究发现：i) 来自导带的隧穿光电流占主导地位，而非来自表面态。ii) 在大隧穿距离下，电流的指数偏压依赖性可由隧穿势垒高度的偏压依赖性解释，而在小距离下，表面复合速度的变化起主导作用。
引用
@article{arxiv.1006.2915,
title = {Photoassisted tunneling from free-standing GaAs thin films into metallic surfaces},
author = {D. Vu and S. Arscott and E. Peytavit and R. Ramdani and E. Gil and Y. André and S. Bansropun and B. Gérard and A. C. H. Rowe and D. Paget},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2915},
year = {2015}
}