基于时域密度泛函理论的窄金属间隙中光激发隧穿
光学
2026-04-07 v4
摘要
本 work 采用时域密度泛函理论，研究了在实际实验条件下，由短脉冲（单循环脉冲和多循环脉冲）触发的窄金属间隙中的电子隧穿。我们识别了光子辅助隧穿，包括单光子、双光子及更高阶光子吸收，并讨论了隧穿势垛、施加偏置电压以及光场强度对从光子辅助隧穿（弱光场）向光场发射（强光场）过渡的影响。数值单电子计算和解析强场理论模型用于深入洞察时域密度泛函理论计算结果。此外，本参数无关的计算使我们能够检索并解释近期在施加直流偏置下窄金属间隙中光激发传输实验结果。
引用
@article{arxiv.2509.14802,
title = {Ultrafast optically induced tunneling in narrow metallic gaps from the time dependent density functional perspective},
author = {Boyang Ma and Antton Babaze and Michael Krüger and Javier Aizpurua and Andrei G. Borisov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.14802},
year = {2026}
}