隧穿与过势垒电离中的激光诱导电子菲涅耳衍射
原子物理
2022-04-27 v1
摘要
强场电离中的光电子动量分布具有多种结构，揭示了该过程的复杂动力学。最近，我们在超强极紫外（XUV）激光脉冲情形下识别出一种低能干涉结构，并将其归因于激光诱导电子菲涅耳衍射。该结构由激光诱导电子位移决定[Geng L et al. 2021 Phys. Rev. A 104(2) L021102]。在本工作中，我们发现菲涅耳衍射图像也存在于短脉冲电离的隧穿与过势垒区域中。然而，此时的电子位移由激光脉冲的电场分量诱导，而非超强XUV脉冲情形下的磁场分量。在对我们的量子与半经典模型作相应修正后，我们发现沿激光偏振方向的低能干涉结构由相同的菲涅耳衍射物理机制主导。两个模型的预测结果与含时薛定谔方程数值解的精确结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.2203.14199,
title = {Laser-induced electron Fresnel diffraction in the tunneling and over-barrier ionization},
author = {Lei Geng and Hao Liang and Liang-You Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14199},
year = {2022}
}