转移哈密顿顿形式主义中光子辅助隧穿的密度矩阵方法
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v2
摘要
在含时密度矩阵表述中推导了转移哈密顿顿隧穿电流，并用于研究光子辅助隧穿。Bardeen隧穿表达式作为密度矩阵平均场展开中一阶微扰理论的结果出现。由于间隙中随时间变化的极化和波函数重叠，禁戒势垒区中受限电磁场产生的光子辅助隧穿在非对称器件结构中导致非零隧穿电流，即使在无偏置状态下也是如此。在均匀势垒非对称隧穿示例问题中，光子能量被视为有效的温度依赖偏置。密度矩阵展开中的高阶项产生了多光子增强隧穿电流，这可以被视为非线性光学的扩展，其中非线性电导在连续性方程中起着与非线性极化率相似的作用。
引用
@article{arxiv.1710.03171,
title = {Density matrix approach to photon-assisted tunneling in the transfer Hamiltonian formalism},
author = {Paul S. Davids and Joshua Shank},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.03171},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 2 figures