量子阱异质结构中的光子抑制拓扑输运

此处我们通过系统中拓扑保护边缘态的概率占据，给出了具有周期驱动场的量子阱异质结构中输运的图像。这是通过推广光子辅助隧穿领域的方法实现的。我们展示了时变场{\it 修饰}异质结构的底层哈密顿量并将系统分裂为边带。这些边带中的每一个都以一定概率被占据，该概率取决于驱动频率与强度。由于吸收/发射光子的概率，这导致系统的拓扑输运特征减弱。因此当电压调谐至体态能隙时，电导小于预期的$2e^2/h$。我们称之为光子抑制拓扑输运。尽管如此，边缘模式在其边缘电导对无序和模型参数变化的鲁棒性中揭示了其拓扑起源。本工作中与光子辅助隧穿的类比使我们能够解释计算所得电导率并解释先前作者观察到的求和规则。