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偏置随机电导下亚弹道一维随机游走的标度

概率论 2017-11-15 v1

摘要

我们考虑两种一维随机游走模型,其游走于偏置的独立同分布随机电导之中:第一种是电导的经典指数倾斜,第二种源于在点过程上施加外场对随机游走的影响(偏置依赖于点间距离)。我们研究游走向右暂态但亚弹道的情形,并确定了随机游走的正确标度:找到 α[0,1]\alpha \in[0,1] 使得 logXn/lognα\log X_n / \log n \to \alpha。有趣的是,在第一种情形中 α\alpha 不依赖于偏置强度,而在第二种情形中则依赖。

关键词

引用

@article{arxiv.1711.04676,
  title  = {Scaling of sub-ballistic 1D Random Walks among biased Random Conductances},
  author = {Quentin Berger and Michele Salvi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1711.04676},
  year   = {2017}
}

备注

12 pages, 1 figure