单杂质Anderson模型的再规范化扰动计算
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们通过应用于单杂质Anderson模型来说明再规范化扰动展开方法。此前我们表明，这种方法在费米-利弗里德 regime 下，对比热、自旋和电荷 susceptibility 以及电阻率的温度依赖性给出确切的主导阶结果，具体为在再规范化相互作用 的第二阶进行。现在我们考虑更高阶准粒子散射效应，计算对称模型在弱磁场 下杂质磁化 项的第三阶贡献。该结果在弱耦合 regime 下渐近精确，在Kondo regime 中与确切的比策分析结果非常接近。我们还计算了磁场下的准粒子态密度，这与最近对量子点实验工作相关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106600,
title = {Renormalized perturbation calculations for the single impurity Anderson model},
author = {A. C. Hewson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106600},
year = {2009}
}