二维正方晶格Hubbard模型的四阶微扰展开
超导电性
2008-10-13 v1 强关联电子
摘要
我们通过在位库仑排斥U的四阶微扰展开研究了二维正方晶格上的Hubbard模型。通过数值计算自能中所有四阶图，我们检验了晶格系统中微扰级数的收敛性。我们指出，在半填充情况下，当T > 0.1t时，各阶项的系数像杂质Anderson模型一样迅速减小，但在掺杂情况下，即使在更低温度下也保持。因此，我们可以预期，除了半填充情况下T < 0.1t的区域，在晶格系统中U的微扰展开收敛性在很宽的参数区域内也非常好。接下来，我们计算了四阶微扰下的态密度。在半填充情况下，中等关联区域的形状与二阶微扰下的三峰结构截然不同。显著的上、下Hubbard带位于w = +(-)U/2，并且在费米能级w=0处出现赝能隙。这被认为是Mott-Hubbard反铁磁结构的前驱。在掺杂情况下，在费米能级处形成了具有非常大质量的准粒子。因此，我们得出结论，四阶微扰理论总体上很好地解释了强关联区域的渐近行为。
引用
@article{arxiv.0810.1815,
title = {Fourth-Order Perturbation Expansion for Hubbard Model on a Two-Dimensional Square Lattice},
author = {H. Ikeda and S. Shinkai and K. Yamada},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.1815},
year = {2008}
}
备注
17 pages, 20 figures