在单个二维晶体 RRAM 中实现非马尔可夫链
应用物理
2021-08-31 v1 材料科学
摘要
非马尔可夫过程广泛存在于热力学过程中，而在传统器件架构中通常需要封装大量晶体管与存储器且系统复杂度极高才能模拟此类功能。基于二维(2D)材料的阻变随机存取存储器(RRAM)器件展现出以大幅降低的复杂度用于下一代计算系统的潜力。在此，我们基于具有垂直金属/云母/金属结构的二维云母，在单个 RRAM 器件中实现了非马尔可夫链。我们发现二维云母中的内部钾离子(K+)沿外加电场方向逐渐移动，使初始绝缘的云母变为导电。K+ 的积累由电场调控，且该二维云母 RRAM 同时具备单极与双极存储窗口、高开关比、良好的稳定性与可重复性。重要的是，非马尔可夫链算法首次在单个 RRAM 中建立，其中 K+ 的运动依赖于所受刺激电压及其过往状态。该工作不仅揭示了二维云母的内在离子导电性，也为这类具有丰富功能与应用的新型 RRAM 器件打开了大门。
引用
@article{arxiv.2108.13244,
title = {Realization of A Non-Markov Chain in A Single 2D Crystal RRAM},
author = {Rongjie Zhang and Wenjun Chen and Changjiu Teng and Wugang Liao and Bilu Liu and Hui-Ming Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.13244},
year = {2021}
}
备注
23 pages, 4 figures