InAs/AlSb子带间跃迁的辐射量子效率
介观与纳米尺度物理
2015-01-29 v1 材料科学
摘要
我们测量了基于InAs/AlSb的电致发光子带间发射器的量子效率随磁场（高达20T）的变化。观察到两组随1/B周期振荡的序列，分别对应于辐射跃迁上态电子的弹性和非弹性散射。激发态寿命作为外加磁场函数的计算结果精确重现了实验结果。对这些数据的解释给出了散射机制相对权重的精确测量，并允许提取材料参数，如能量相关的电子有效质量和光学声子能量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607631,
title = {Radiative quantum efficiency in an InAs/AlSb intersubband transition},
author = {C. Faugeras and A. Wade and A. Leuliet and A. Vasanelli and C. Sirtori and G. Fedorov and D. Smirnov and R. Teissier and A. Baranov and D. Barate and J. Devenson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607631},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures