InAs/AlAsSb多量子阱中的热载流子动力学
材料科学
2021-03-16 v3
摘要
研究了一种II型InAs/AlAsSb多量子阱样品的光激发载流子动力学随激发光子能量和晶格温度的变化。使用近红外泵浦脉冲（光子能量接近并高于带隙）进行时间分辨测量，并以太赫兹探测脉冲探测。瞬态太赫兹吸收由多上升、多衰减函数表征，该函数在过剩光子能量 meV时捕获长寿命衰减时间和亚稳态。对于足够的过剩光子能量，亚稳态的激发之后是向长寿命态的跃迁。长寿命态的激发依赖性映射到近直接带隙（）态密度，且在以下具有Urbach尾。随着温度升高，由于非本意缺陷态的声子相互作用增加，以及以上热载流子的声子稳定化，长寿命衰减时间在以下增加。此外，在平台起始之上的俄歇（和/或陷阱辅助俄歇）散射也可能有助于更长的热载流子寿命。同时，初始衰减分量显示出对激发能量和温度的强烈依赖，反映了价带与缺陷态之间复杂的初始能量转移，表明了进一步延长热载流子以供技术应用的方法。
引用
@article{arxiv.2103.03839,
title = {Hot-carrier dynamics in InAs/AlAsSb multiple-quantum wells},
author = {Herath P. Piyathilaka and Rishmali Sooriyagoda and Hamidreza Esmaielpour and Vincent R. Whiteside and Tetsuya D. Mishima and Michael B. Santos and Ian R. Sellers and Alan D. Bristow},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.03839},
year = {2021}
}