支撑衬底对金属性二维材料的赝掺杂
介观与纳米尺度物理
2022-04-27 v1 材料科学
摘要
我们以生长在 Au(111) 上的单层 TaS 为例，展示了二维材料与其衬底之间的杂化如何导致表观重掺杂。结合 计算、扫描隧穿谱实验以及一个通用模型，我们表明费米面积可发生显著变化，而实际电荷转移却小得多。这一我们称之为赝掺杂的机制，是吸附于金属衬底或嵌入垂直异质结构中的金属性二维材料的普遍效应。它解释了光电子能谱中观察到的 TaS 在 Au(111) 上的表观重掺杂，以及扫描隧穿谱中的谱学特征。赝掺杂与电子谱的非线性能量依赖位移相关，我们的扫描隧穿谱实验在 Au(111) 上洁净及含缺陷的 TaS 单层中揭示了这一点。我们分析了赝掺杂对电荷有序、磁性或超导态形成的影响。
引用
@article{arxiv.1807.00756,
title = {Pseudodoping of Metallic Two-Dimensional Materials by The Supporting Substrates},
author = {Bin Shao and Andreas Eich and Charlotte Sanders and Arlette S. Ngankeu and Marco Bianchi and Philip Hofmann and Alexander A. Khajetoorians and Tim O. Wehling},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.00756},
year = {2022}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1609.00220