单层MA2Z4中受保护的谷态及谷极化与自旋极化电流的生成
材料科学
2022-06-15 v1 其他凝聚态物理
摘要
具有自旋-谷耦合的二维材料所遵循的光学选择定则使得载流子的选择性激发成为可能。我们表明单层MA2Z4（M = Mo和W；A = C、Si和Ge；Z = N、P和As）家族中的六个成员是具有受保护谷态的直接带隙半导体，且圆偏振红外光可诱导谷选择性的带间跃迁。我们的光谷电子器件在平面内偏置和圆偏振红外光下展现出接近100%的谷极化和自旋极化电流，这可用于信息的编码、处理和存储。
引用
@article{arxiv.2112.05956,
title = {Protected valley states and generation of valley- and spin-polarized current in monolayer MA2Z4},
author = {Jiaren Yuan and Qingyuan Wei and Minglei Sun and Xiaohong Yan and Yongqing Cai and Lei Shen and Udo Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.05956},
year = {2022}
}
备注
6 figures