深反应离子刻蚀形成的硼硅酸盐玻璃沟槽形貌控制
其他计算机科学
2009-11-13 v1
摘要
本文报道了硼硅酸盐玻璃的深反应离子刻蚀 (DRIE) 及刻蚀沟槽的形貌控制。DRIE 使用阳极键合的硅片作为刻蚀掩模。通过去除 DRIE 过程中碳氟化合物刻蚀气体产生的过厚聚合物薄膜，我们控制了沟槽形貌，即改善了其侧壁角度。实验比较了两种有效去除该薄膜的制造工艺：在刻蚀气体中添加氩气的 DRIE，以及一种将 DRIE 与随后在去离子水中进行超声清洗交替进行的新型组合工艺。两种工艺均改善了侧壁角度，使其达到 85°，且与掩模开口宽度无关。结果表明，这些工艺可以去除侧壁上过多的聚合物薄膜。因此，这些工艺是控制硼硅酸盐玻璃沟槽形貌的有效方法。
引用
@article{arxiv.0802.3085,
title = {Profile Control of a Borosilicate-Glass Groove Formed by Deep Reactive Ion Etching},
author = {T. Akashi and Y. Yoshimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.3085},
year = {2009}
}
备注
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