通过深反应离子刻蚀（DRIE）实现刻蚀滞后减小与高深宽比
等离子体物理
2021-05-18 v1 应用物理
摘要
采用 Bosch 工艺的深反应离子刻蚀（DRIE）是用于在硅中制造用于 MEMS 与微流控应用的微米级结构的关键工序之一，因此对于生物医学研究中的微型化日益重要。尽管该刻蚀工艺能保证高深宽比结构并提供高设计灵活性，但其存在反应离子刻蚀滞后问题，且常依赖复杂的氧化物掩模以实现深刻蚀。在本工作中，我们引入一种优化的 Bosch 工艺，将刻蚀滞后降低至低于 1.5%。此外，我们改进了三步 Bosch 工艺，使得能够制造厚度为 6 微米、深度达 180 微米且保持稳定性的结构。
引用
@article{arxiv.2104.02763,
title = {Reduced etch lag and high aspect ratios by deep reactive ion etching (DRIE)},
author = {M. S. Gerlt and N. F. Läubli and M. Manser and B. J. Nelson and J. Dual},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.02763},
year = {2021}
}