应变外延薄膜中一级马氏体相变的预测

相干外延生长能够制备出具有应变结构的晶体薄膜，而这些结构在体相中是不稳定的。因此，界面平面内覆盖层的晶格参数 $(a,b)$ 与其最小能量面外晶格参数 $c_{\text{min}}(a,b)$ 之间的关系不必是连续的。这一普遍性陈述已通过总能量计算的实例得到证明。结果是，由衬底选择决定的 $c_{\text{min}}$ 以及依赖于 $c_{\text{min}}$ 的覆盖层本征性质，并不总能像人们希望通过应变外延所做的那样进行连续调控。利用外延 Bain 路径模型，我们预测这种不连续性会出现在 V、Nb、Ru、La、Os 和 Ir 元素的薄膜中。$c_{\text{min}}$ 的突变可用于切换特定于覆盖层材料的性质。我们以 V 薄膜的超导临界温度为例进行了演示，预测其在 $c_{\text{min}}$ 发生不连续处会跃变 20%。