具有垂直各向异性的外延Co薄膜的畴结构
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
通过脉冲激光沉积(PLD)方法，将具有显著 c 轴织构的外延 hcp 钴(Co)薄膜直接制备在 Al2O3 (0001) 单晶衬底上，或带有中间钌缓冲层。通过 XRD、极图测量和倒易空间映射研究了晶体结构和外延生长关系。详细的振动样品磁强计(VSM)分析表明，这些高织构 Co 薄膜的垂直各向异性达到了 hcp-Co 单晶材料的磁晶各向异性。制备了厚度 为 的薄膜，以详细研究从面内磁化到面外磁化的转变。对通过磁力显微镜观察到的周期性磁畴图案的分析，可以确定一个临界最小厚度，低于该厚度时磁畴采用纯面内取向。在临界厚度以上，将条纹畴的宽度作为薄膜厚度的函数进行评估，并与磁畴理论进行比较。特别是在最小薄膜厚度处的差异表明，系统处于面内和面外磁畴之间的中间状态，而现有的解析磁畴模型未能描述这一状态。
关键词
引用
@article{arxiv.0812.3797,
title = {Domain structure of epitaxial Co films with perpendicular anisotropy},
author = {Jens Brandenburg and Ruben Hühne and Volker Neu and Ludwig Schultz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.3797},
year = {2009}
}