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化学无序FeRh薄膜中的外延应变适应

材料科学 2019-05-01 v2

摘要

现代功能材料中的应变及其适应机制对其性能至关重要。理解这些机制将推进材料性能工程的创新方法。本文研究了薄膜模型系统中作为外延应变函数的应变适应机制。将化学无序FeRh薄膜沉积于W-V缓冲层上,该缓冲层可实现预设晶格常数(即外延边界条件)的大范围变化。高分辨X射线倒易空间映射与透射电子显微镜表明,该系统通过结构单元的倾斜机制来适应缓冲层的晶格常数。密度泛函理论计算解释了该响应,其证明畸变c/a=0.87的结构存在能量极小。实验观察到的倾斜机制由该能量增益诱发,并使系统保持于最有利的结构。总体而言,本文表明由完全互溶元素的合金缓冲层与目标功能材料构成的外延模型异质结构,可详尽研究应变适应行为。该方法甚至可使微小的次级效应得以观测,如本案例研究中识别出的结构畴定向倾斜。

关键词

引用

@article{arxiv.1902.07596,
  title  = {Epitaxial strain adaption in chemically disordered FeRh thin films},
  author = {Ralf Witte and Robert Kruk and Di Wang and Sabine Schlabach and Richard A. Brand and Markus E. Gruner and Heiko Wende and Horst Hahn},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1902.07596},
  year   = {2019}
}