平面霍尔效应 MRAM
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们提出一种基于磁性薄膜中平面霍尔效应（PHE）现象的新型磁随机存取存储器（MRAM），并以铁锰酸薄膜为例加以演示。PHE-MRAM的结构比当前基于磁阻隧道结（MTJ）的MRAM更简单，隧道结结构被取代为单层薄膜。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508772,
title = {Planar Hall Effect MRAM},
author = {Y. Bason and L. Klein and J. -B. Yau and X. Hong and J. Hoffman and C. H. Ahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508772},
year = {2007}
}