Mn$_3$Ge 中反铁磁畴壁记忆引起的平面霍尔效应
材料科学
2020-12-18 v1
摘要
在 MnX（X=Sn, Ge）反铁磁体中，由于每个畴内自旋的非共线排列，畴壁很厚且异常复杂。最近在 MnSn 的磁滞回线内观察到了平面霍尔效应（PHE），即垂直于外加电流但平行于外加磁场的电场。PHE 的符号显示出由磁场先前取向及其历史调谐的记忆。我们展示了一项对 MnGe 中 PHE 的研究，温度从室温延伸至 2 K，并表明该记忆效应可通过磁场或热循环来操控。我们表明，若先前的磁场超过 0.8 T 或温度超过 ，该记忆可被消除。我们还发现零场与有场热循环下 PHE 振幅之间存在可检测的差异。PHE 与反常霍尔效应（AHE）的比值随温度从 2 K 升至 略有下降，并跟踪磁化的温度依赖关系。这种可擦除的记忆效应可用于数据存储。
引用
@article{arxiv.2011.02230,
title = {Planar Hall effect caused by the memory of antiferromagnetic domain walls in Mn$_3$Ge},
author = {Liangcai Xu and Xiaokang Li and Linchao Ding and Kamran Behnia and Zengwei Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.02230},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures