薄膜矿物化物的物理学
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
本综述涵盖了近年来在薄膜矿物化物物理学中取得的重要进展，重点强调了针对薄膜形态下矿物化物的特定方面。我们介绍了当前在电子器件中应用薄膜矿物化物的开发状态，并讨论了这些器件性能与失效相关的物理机制。随后我们阐述了在首次原理计算方法中对理解矿物化物取得的巨大进展。然后我们详细讨论了应变在决定等薄膜矿物化物性质中起到的重要作用。最后，我们关注纳米尺度矿物化物的新兴可能性，特别强调非常规纳米尺度几何结构下的矿物化物。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503372,
title = {Physics of thin-film ferroelectric oxides},
author = {M. Dawber and K. M. Rabe and J. F. Scott},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503372},
year = {2009}
}
备注
This is an invited review for Reviews of Modern Physics. We welcome feedback and will endeavour to incorporate comments received promptly into the final version