外延铁电 HfO2 薄膜：生长、性质与器件
材料科学
2021-04-28 v1
摘要
在掺杂 HfO2 多晶薄膜中首次报道铁电性约十年后，人们对这种材料产生了极大的兴趣，铁电氧化物再次成为存储器行业的焦点。人们正付出巨大努力来理解和控制铁电性质。与多晶薄膜相比，缺陷更少且微观结构更可控的外延薄膜可对此非常有用。铁电 HfO2 的外延薄膜研究少得多，但自 2015 年首次报道以来已取得显著进展。本综述总结并讨论了外延 HfO2 的主要进展，涉及生长、结构与铁电性质研究、铁电相的鉴定以及器件制备。我们希望本综述能帮助研究外延 HfO2 的研究人员。它也有助于将目前基本聚焦于多晶样品的铁电 HfO2 领域的兴趣扩展到外延薄膜。
引用
@article{arxiv.2104.13099,
title = {Epitaxial Ferroelectric HfO2 Films: Growth, Properties, and Devices},
author = {Ignasi Fina and Florencio Sanchez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.13099},
year = {2021}
}
备注
Review