通过专用且串兼容的传输门为无传输干扰垂直 NAND 存储铺平道路
新兴技术
2024-03-11 v1
摘要
在这项工作中，我们提出了一种双端口单元设计来解决垂直 NAND 存储中的传输干扰 (pass disturb) 问题，该设计可以通过专用且串兼容的传输门传递信号。我们证明：i) 无传输干扰特性源于在高阈值电压 (, HVT) 状态下传输偏压对去极化场的减弱，以及在低阈值电压 (, LVT) 状态下沟道对所施加电场的屏蔽；ii) 双端口设计的联合仿真和实验验证了 NAND 串中的无干扰操作，克服了单端口设计中的一个关键挑战；iii) 所提出的设计可以集成到高度缩放的垂直 NAND FeFET 串中，并且通过在衬底中使用全局底部传输门接触，可以将传输门集成到现有的 3D NAND 中，其传输门互连开销可忽略不计。
引用
@article{arxiv.2403.04981,
title = {Paving the Way for Pass Disturb Free Vertical NAND Storage via A Dedicated and String-Compatible Pass Gate},
author = {Zijian Zhao and Sola Woo and Khandker Akif Aabrar and Sharadindu Gopal Kirtania and Zhouhang Jiang and Shan Deng and Yi Xiao and Halid Mulaosmanovic and Stefan Duenkel and Dominik Kleimaier and Steven Soss and Sven Beyer and Rajiv Joshi and Scott Meninger and Mohamed Mohamed and Kijoon Kim and Jongho Woo and Suhwan Lim and Kwangsoo Kim and Wanki Kim and Daewon Ha and Vijaykrishnan Narayanan and Suman Datta and Shimeng Yu and Kai Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.04981},
year = {2024}
}
备注
29 pages, 7 figures