RF-MEMS 晶圆级封装中的寄生效应抑制
其他计算机科学
2007-11-29 v1
摘要
在 RF-MEMS 封装中，除了保护可动结构外，优化封装的电性能也起着非常重要的作用。本研究调查并优化了一种晶圆级封装工艺，以最小化电寄生效应。所使用的 RF-MEMS 封装概念基于将盖帽硅衬底与 RF-MEMS 晶圆进行晶圆级键合。利用有限元电磁仿真（Ansoft HFSS）对盖帽硅衬底的电阻率、衬底厚度以及穿衬底电互连过孔的几何形状进行了优化。设计了用于电学表征的测试结构，在其制造完成后，将把测量结果与仿真结果进行比较。
引用
@article{arxiv.0711.3275,
title = {Parasitic Effects Reduction for Wafer-Level Packaging of RF-Mems},
author = {J. Iannacci and Jason Tian and S. Sinaga and R. Gaddi and A. Gnudi and M. Bartek},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.3275},
year = {2007}
}
备注
Submitted on behalf of TIMA Editions (http://irevues.inist.fr/tima-editions)