拓扑绝缘体中的并联和串联传导模型
强关联电子
2016-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在过去几年中，材料科学工程领域出现了合成体绝缘且表面金属化的拓扑绝缘体（TI）材料的热潮。这一探索不仅在理论上很重要，而且从新应用的角度来看也充满希望。特定样品的电阻随温度的依赖性（R-T）揭示了关于电子性质的丰富信息，特别是在像 TI 这样独特的样品中，它由绝缘体和金属表面态两个部分组成。根据样品形成过程中本征掺杂的量，体区可以与表面耦合或保持解耦。前者导致金属 R-T 分布，而后者表现为绝缘 R-T 行为。这两种行为可以分别用串联和并联电阻模型来表示。在本文中，我们在电阻模型的框架下研究 R-T 行为，以捕捉我们样品的基本特征。
引用
@article{arxiv.1611.02856,
title = {Parallel and series conduction model in Topological Insulators},
author = {Sourabh Singh and R K Gopal and Jit Sarkar and C. Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.02856},
year = {2016}
}
备注
Accepted in International Conference on the Physics of Semiconductors 2016 (ICPS 2016 )