GaAs 中部分位错辐射复合的光学可视化
材料科学
2016-06-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在 5 K 下，利用空间和光谱分辨的光致发光成像技术，对超纯 GaAs 外延层中的单个位错进行了研究。我们发现一些位错作为强非辐射复合中心，而另一些则是高效的辐射复合中心。我们表征了 GaAs 中由位错、层错和层错对引起的发光带。这些结果表明，低温、空间分辨的光致发光成像可以成为识别扩展缺陷发光带的有力工具。这种映射随后可用于仅基于低温光致发光光谱来识别其他 GaAs 样品中的扩展缺陷。
引用
@article{arxiv.1606.03306,
title = {Optical Visualization of Radiative Recombination at Partial Dislocations in GaAs},
author = {Todd Karin and Xiayu Linpeng and Ashish K. Rai and Arne Ludwig and Andreas D. Wieck and Kai-Mei C. Fu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03306},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures