GaN(0001) 上阴极荧光与电子束诱导电流图中的位错衬度
材料科学
2018-01-11 v1
摘要
我们在理论上分析了在阴极荧光和电子束诱导电流图中，在 GaN(0001) 表面露头的穿通位错处观察到的衬度。我们考虑了激子扩散和复合，包括平面表面和位错处的有限复合速度。针对这种一般情况建立互易定理，使我们能够提供该扩散-复合问题的严格解析解。将计算结果应用于一个实验实例，以确定位错密度为 ~cm 的自支撑 GaN 层中穿通位错的激子扩散长度和复合强度。
引用
@article{arxiv.1611.06895,
title = {Dislocation contrast in cathodoluminescence and electron-beam induced current maps on GaN(0001)},
author = {K. K. Sabelfeld and V. M. Kaganer and C. Pfüller and O. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.06895},
year = {2018}
}