无序氮化铟中局域态的光致发光
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
研究了无序 InN 在极高磁场下的光致发光光谱。样品具有高斯光谱，低温发射峰分别位于 0.82 和 0.98eV。从抗磁位移推断出的激子波函数的平均空间展宽仅为 2-3nm。这表明复合发光源自高度局域态的系综，这些局域态处于强度约为 10meV 的平滑（经典）无序势景观中。光致发光峰及其线宽的温度依赖性异常进一步支持了光生载流子被俘获的图像。
引用
@article{arxiv.0806.3836,
title = {Photoluminescence from localized states in disordered indium nitride},
author = {Bhavtosh Bansal and Abdul Kadir and Arnab Bhattacharya and V. V. Moshchalkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3836},
year = {2009}
}
备注
3 figures