一维相互作用 SSH 模型在四分之一填充处的准离子对角化研究
强关联电子
2025-12-11 v1
摘要
本研究探讨了在四分之一填充下，具有最近邻相互作用的无自旋 SSH 模型的基态相图和拓扑性质。我们分析了关键物理量，如局部电子密度分布、键序波( BOW) 和电荷密度波( CDW) 的关联函数——通过将扭转边界条件与 Lanczos 技术相结合，并采用基于键序和电荷密度调制分析的高精度数值对角化方法，补充了均匀场近似( MFA)。这种方法使我们能够精确识别相变临界点。我们的结果表明，该系统在强吸引相互作用下表现出拓扑平凡的带绝缘体( BI) 相，其上边界形成一个向下的开口曲线，峰值出现在 ，并延伸至 。在 区间内，当 时，出现 BOW 相，其边界随着 减小而收敛，在 处终止。在其他参数区域实现 CDW 相。通过这一分析，我们阐明了在四分之一填充下具有相互作用的无自旋 SSH 模型的拓扑性质，突出了 CDW、BOW 和 BI 相之间的竞争。通过调节 和 ，该系统表现出多样化的相关现象，为一维量子相变及其拓扑性与有序性之间的相互作用提供了新的见解。
引用
@article{arxiv.2506.06148,
title = {One-dimensional interacting Su-Schrieffer-Heeger model at quarter filling: An exact diagonalization study},
author = {Yan-Xiao Wang and Yin Zhong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.06148},
year = {2025}
}