关于神经网络文献中忆阻器建模的有效性
神经与进化计算
2019-09-18 v1
摘要
文献分析表明，在所谓“忆阻”神经网络的建模中，广泛使用了两类非忆阻模型。在此，我们证明此类模型与忆阻元件的概念毫无共同之处：它们描述的要么是非线性电阻，要么是某些双稳态系统，而这些均属于无记忆器件。因此，大量已发表文献中所呈现的结果至少是存疑的，若非与实际忆阻神经网络领域完全无关的话。
引用
@article{arxiv.1904.08839,
title = {On the validity of memristor modeling in the neural network literature},
author = {Y. V. Pershin and M. Di Ventra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.08839},
year = {2019}
}