概率忆阻网络：主方程在二进制 ReRAM 单元网络中的应用
新兴技术
2021-01-25 v3 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
使用非确定性电路元件的可能性近年来受到显著关注。对其电路的建模与仿真需要新方法，因为现在电路在任意时刻的状态无法被精确预测。一般而言，这些电路应以概率描述，电路变量应取平均计算，并应使用关联函数来探究变量间的相互关系。本文首次使用主方程来分析由概率二进制忆阻器组成的网络。找到了由相同忆阻器串联与并联时主方程的解析解。我们的解析结果辅以数值仿真结果，将发现推广至非相同忆阻器情形。本文提出的方法促进了概率/随机电子电路的发展并推进其实际应用。
引用
@article{arxiv.2003.11011,
title = {Probabilistic Memristive Networks: Application of a Master Equation to Networks of Binary ReRAM cells},
author = {V. J. Dowling and V. A. Slipko and Y. V. Pershin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.11011},
year = {2021}
}