垂直磁化隧道结中的偏移场
材料科学
2019-04-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了影响垂直磁化隧道结自由层的偏移场。在扩展薄膜中，自由层偏移场源于通过 MgO 隧道氧化层与参考层的层间交换耦合。因此，自由层偏移场伴随自由层与参考层铁磁共振频率的偏移。该偏移取决于两个磁化方向的相对取向。偏移场随隧道氧化层电阻面积乘积的增大而减小。将隧道结图形化为 STT-MRAM 圆盘状单元会显著改变偏移场，因为横向尺寸的减小伴随参考层与硬层杂散场的产生。实验偏移场与这些杂散场之和的空间平均值最符合，从而为偏移场的设计提供指导。
引用
@article{arxiv.1904.10170,
title = {Offset fields in perpendicularly magnetized tunnel junctions},
author = {T. Devolder and R. Carpenter and S. Rao and W. Kim and S. Couet and J. Swerts and G. S. Kar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.10170},
year = {2019}
}
备注
Special issue of J. Phys. D: Appl. Phys (2019) on STT-MRAM