MgO基纳米柱中垂直自旋转矩以及自由层和固定层本征模的偏压依赖性
材料科学
2016-08-14 v2
摘要
我们测量了具有MgO势垒的磁性隧道结中本征模频率的偏置电压和磁场依赖性。我们表明，自由层和参考层模式都被激发，并且通过改变外场和偏置电压可以观察到这些模式之间的交叉。自由层和参考层模式的偏置电压依赖性显示出显著差异。自由层模式的偏压依赖性在偏置电压上是线性的，而参考层模式的偏压依赖性则是强二次型的。通过建模和微磁模拟，我们表明自由层频率的线性偏压依赖性主要是由于垂直自旋转矩对偏置电压的线性依赖性，而参考层对偏置电压的二次型依赖性则主要由焦耳热引起的交换偏置减小所主导，并且不能归因于垂直自旋转矩对偏置电压的二次型依赖性。
引用
@article{arxiv.1101.2401,
title = {Bias dependence of perpendicular spin torque and of free and fixed layer eigenmodes in MgO-based nanopillars},
author = {P. K. Muduli and O. G. Heinonen and Johan Åkerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.2401},
year = {2016}
}