CoFeB/MgO 磁隧道结中线性偏压依赖引起的宽带电压整流器
介观与纳米尺度物理
2018-08-01 v1
摘要
在本文中，通过改变自由层厚度来裁剪垂直磁各向异性（PMA），以制备具有随面内磁场和直流偏压均平滑线性电阻依赖关系的 MTJ 纳米柱。我们进一步展示了如何利用这种线性偏压依赖来创建零阈值宽带电压整流器，这一特性对于无线充电和能量收集应用中的整流十分重要。通过仔细平衡自由层中作用的 PMA 量，测得的射频到直流电压转换效率可高达 11%。
引用
@article{arxiv.1804.04104,
title = {Broadband voltage rectifier induced by linear bias dependence in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions},
author = {M. Tarequzzaman and A. S. Jenkins and T. Böhnert and J. Borme and L. Martins and E. Paz and R. Ferreira and P. P. Freitas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04104},
year = {2018}
}
备注
7 pages and 4 figures