具有垂直磁各向异性的应变介导对称性破缺开关
应用物理
2020-01-22 v2
摘要
具有垂直磁各向异性（PMA）的磁开关是在磁隧道结和磁存储器等多种应用中控制磁化的一种有前景的方法。然而，开关过程中会发生非相干性，降低了磁比特的开关频率。对称性破缺有助于解决该问题。在此，我们提出一种无场方法实现对称性破缺，从而提高磁化的开关速度。本文提出了一种具有几何不对称性的应变介导方法。在这项工作中，我们建立了一个有限元模型，该模型由位于 50 纳米厚 PZT（Pby[ZrxTi1-x]O3）薄膜顶部的、厚度变化的直径 50 纳米纳米圆盘构成。结果显示，在相同能耗下，开关比对称性 PMA 开关快 66%（从 0.85 纳秒到 0.29 纳秒）。最后，我们通过计算能量分布探讨了变厚度纳米点的对称性破缺机制。
引用
@article{arxiv.2001.01018,
title = {Strain-mediated Symmetry Breaking Switch with Perpendicular Magnetic Anisotropy},
author = {Ruoda Zheng and Jin-Zhao Hu and Qianchang Wang and Victor Estrada and Gregory P. Carman and Abdon E. Sepulveda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.01018},
year = {2020}
}