微波诱导磁阻振荡中的频率相关偏振角相移

在高迁移率 GaAs/AlGaAs 二维电子器件中，对微波辐射诱导的振荡磁阻 $R_{xx}$ 的线偏振角 $\theta$ 相关测量已显示出振荡幅度随 $\theta$ 的依赖关系，以及随磁场、频率和极值相关的相移 $\theta_{0}$。在此，我们提出 $\theta_{0} (f)$ 的微波频率依赖性，采用的分析在对其他较小贡献取平均，当这些贡献小于实验不确定度的估计值时。