高迁移率二维系统中微波诱导磁阻振荡的线偏振依赖性

我们在光子辅助磁输运模型的平衡方程框架下，考察了入射微波相对于直流电流的线偏振角 $\theta$ 的变化对二维 (2D) 系统中辐射诱导磁阻振荡的影响，并仅考虑辐射衰变作为唯一的阻尼机制。在极值处，振荡磁阻 $R_{xx}$ 的振幅随偏振角 $\theta$ 的旋转呈现出正弦变化，幅度变化可达 5 倍。最大振幅通常出现在非零的 $\theta$ 处，具体取决于所讨论的极值、2D 电子装置、辐射频率以及磁场方向。这些结果为 Mani {\it et al.} [Phys. Rev. B {\bf 84}, 085308 (2011)] 和 Ramanayaka {\it et al.} [Phys. Rev. B {\bf 85}, 205315 (2012)] 的实验观测提供了自然的解释。