拓扑能带中的非阿贝尔分化

受最近在莫耳系统中发现的分数量子异常哈尔态（fractional quantum anomalous Hall states）的启发，我们考虑在拓扑能带中实现非阿贝尔相。我们研究了一系列莫耳系统——天球拓扑能带模型（skyrmion Chern band models），这些系统可在二维半导体-磁性异质结构中实现，也能捕捉扭曲过渡金属硫化物同素双层（twisted transition metal dichalcogenide homobilayers）的本质。我们使用多体精确对角化方法，尽管动量空间存在强烈的Berry曲率变化，仍证明了在第二能带的半填充处可实现非阿贝尔莫里-里德状态（non-Abelian Moore-Read state）。这些结果表明，无需洛伦兹能级即可在莫耳系统中实现非阿贝尔分化，为其实现提供了可行性，并为实际实现指出了理想条件。特别是，我们强调在扭曲半导体双层中实现莫里-里德状态的前景。